Číslo produktu výrobce:
TSM3N90CI C0G
Product Overview
Výrobce:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dílu:
TSM3N90CI C0G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 2.5A (Tc) 94W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventář:
12897881
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
TSM3N90CI C0G Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
Taiwan Semiconductor
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
900 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5.1Ohm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
748 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
94W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
ITO-220AB
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základní číslo výrobku
TSM3N90
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,000
Další jména
TSM3N90CI C0G-DG
TSM3N90CIC0G
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
TSM4806CS RLG
MOSFET N-CHANNEL 20V 28A 8SOP
TSM2N7002KCX RFG
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
TSM80N1R2CI C0G
MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220AB
